MOSFET Infineon, canale P, 0,065 Ω, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo per uso automobilistico Infineon in contenitore D2-pak. Il design cellulare dei MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza allaccensione per area di silicio. È utilizzato nel settore automobilistico e in unampia varietà di applicazioni grazie alla rapida velocità di commutazione e al dispositivo rinforzato.Advanced Planar Technology Classificazione DV/DT dinamica Temperatura desercizio: 175 °C Commutazione rapida Senza piombo Conformità RoHS