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IGBT ROHM, VCE 1200 V, IC 30 A, TO-247N


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2236315
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGS30TSX2DGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
LIGBT Field Stop Trench ROHM è utilizzato principalmente in inverter generici, UPS, inverter PV e condizionatore di potenza. La dissipazione di potenza è di 267 Watts.Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore Tempo di resistenza ai cortocircuiti di 5 10μs FRD incorporato per recupero rapido e morbido Conformità RoHS
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
30 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±30V
Dissipazione di potenza massima:
267 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
TO-247N
Numero pin:
3
Altri termini di ricerca: 2236315, Semiconduttori, Discreti, IGBT, ROHM, RGS30TSX2DGC11
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