MOSFET Littelfuse, canale N, 0,75 O, 4,5 A, TO-263-7, Montaggio superficiale

I nuovi MOSFET al carburo di silicio (SiC) 1700V e 750mOhm Littelfuse sono presentati in contenitore TO-263-7L. Il pin source separato riduce significativamente il percorso dellinduttanza parassita della sorgente verso il driver, il che contribuisce a migliorare lefficienza in applicazioni ad alta potenza. La temperatura massima di giunzione desercizio è 175 °C. Questi MOSFET sono ideali per applicazioni ad alta frequenza in cui si desidera unelevata efficienza.Ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza Carica di gate e uscita estremamente basse capacità Bassa resistenza di gate per la commutazione ad alta frequenza Operazioni normalmente disattivate a tutte le temperature Bassissima resistenza in stato attivo Contenitore ottimizzato con pin sorgente driver separato MSL 1 nominale