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MOSFET Infineon, canale N, 1000 m.Ω, 5,2 A, TO-263-7, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-2224847
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMBF170R1K0M1XTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 5,2 A
Tensione massima drain source = 1700 V
Serie = IMBF1
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 7
Resistenza massima drain source = 1000 m.Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
5,2 A
Tensione massima drain source:
1700 V
Tipo di package:
TO-263-7
Serie:
IMBF1
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
7
Resistenza massima drain source:
1000 m.Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2224847, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IMBF170R1K0M1XTMA1
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Accessori
IGBT Infineon, VCE 11,4 V, IC 11,9 A, canale N, PG-SOT23-6-3
Infineon
1ED44175N01BXTSA1
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