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MOSFET Infineon, canale N, 0,0059 Ω, 171 A, TO247AC, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-2224611
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     AUIRFP4568
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza allaccensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito allelevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per luso nel settore automobilistico e unampia varietà di altre applicazioni.Avanzata tecnologia planare MOSFET a canale doppio N a bassa resistenza in stato attivo Stadio pilota livello logico
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
171 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
TO247AC
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0059 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 2224611, Semiconduttori, Discreti, Infineon, AUIRFP4568
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