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MOSFET DiodesZetex, canale N, 0,011 O, 10,6 A, V-DFN3030, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2222868
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMT3009UDT-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Il MOSFET Dual N-DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dellalimentazione ad alta efficienza.Tensione di soglia gate ultra bassa Bassa resistenza in stato attivo Bassa capacità dingresso Elevata velocità di commutazione
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
10,6 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
V-DFN3030
Serie:
DMT
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,011 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.8V
Materiale del transistor:
Plastica
Altri termini di ricerca: 2222868, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMT3009UDT7
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