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IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 5 A, canale N, DIP


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2216684
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NFAM0512L5BT
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2216684
Semiconduttori
Discreti
IGBT
Corrente massima continuativa collettore = 5 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = 16.5V
Numero di transistor = 6
Tipo di package = DIP
Tipo di canale = N
Numero pin = 39
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
5 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
16.5V
Numero di transistor:
6
Configurazione:
Ponte trifase
Tipo di package:
DIP
Tipo di canale:
N
Numero pin:
39
Altri termini di ricerca: onsemi, NFAM0512L5BT
Riepilogo condizioni1
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