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Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,014 O, 73 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2207497
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFS4610TRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor dual
Transistor a effetto campo
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 73 A
Tensione massima drain source = 100 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 2
Resistenza massima drain source = 0,014 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 20V
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
73 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
2
Resistenza massima drain source:
0,014 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
20V
Numero di elementi per chip:
2
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