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Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,0126 O, 62 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2207470
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF3007STRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 62 A
Tensione massima drain source = 75 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,0126 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 20V
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
62 A
Tensione massima drain source:
75 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0126 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
20V
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: MOSFET, fet di giunzione, 2207470, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF3007STRLPBF
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