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Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,004 O, 162 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2207340
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     AUIRF1404STRL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor dual
FET di giunzione
La Infineon AUIRF1404STRL è progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questa striscia. Il design planare dei MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza allaccensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito allelevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per luso nel settore automobilistico e unampia varietà di altre applicazioni.Advanced Planar Technology Classificazione DV/DT dinamica Temperatura desercizio: 175 °C Commutazione rapida Completamente Avalanche Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax Senza piombo, conformità a RoHS Adatto per impieghi automobilistici
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
162 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,004 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Transistor, MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Diodo SMD, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, diodo smd, 2207340, Semiconduttori, Discreti, Infineon, AUIRF1404STRL
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