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Transistor bipolare RF NPN Infineon, 4 Pin, TSLP-3-9, 40 mA, 4 V, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2195959
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BFR740L3RHE6327XTSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Infineon BFP740L3RH è un transistor bipolare RF a banda larga Heterojunction Heterojunction NPN (SiGe:C) in silicio al carbonio germanio (SiGe:C).Bassa rumorosità NFmin = 0,5 dB a 1,9 GHz, 0,8 dB a 5,5 GHz, 3 V, 6 ma Elevato guadagno di potenza GMS = 20 dB a 5,5 GHz, 3 V, 15 ma Contenitore senza piombo a basso profilo e fattore di forma ridotto
Altre informazioni:
Tipo transistor:
NPN
Corrente c.c. massima collettore:
40 mA
Tensione massima collettore emitter:
4 V
Tipo di package:
TSLP-3-9
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Altri termini di ricerca: 2195959, Semiconduttori, Discreti, Transistor bipolari, Infineon, BFR740L3RHE6327XTSA1
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