Diodo raddrizzatore e Schottky STMicroelectronics, Montaggio superficiale, 10A, 1200V, D2PAK HV

Il diodo SiC da 10 A, 1200 V STMicroelectronics è diodo di potenza Schottky a prestazioni ultra-elevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale con ampio spazio di banda consente la progettazione di una struttura diodo Schottky con un valore nominale di 1200 V. A causa della struttura Schottky non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento allo spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Alloggiato in D2PAK HV, questo diodo è perfettamente adatto per luso in applicazioni PFC, in OBC, c.c./c.c. per EV, agevolando la conformità a IEC-60664-1. Il modello STPSC10H12G2-TR potenzia le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. La sua elevata capacità di sovracorrente diretta assicura una buona robustezza durante le fasi transitorie.Nessun recupero inverso o trascurabile Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura Robusta periferia ad alta tensione Tj desercizio da -40 °C a 175 °C Bassa VF D²PAK distanza di dispersione HV (anodo-catodo) = 5,38 mm min. Conforme a ECOPACK2