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Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, Modulo


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2184363
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FS200R12PT4PBOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 200 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = 20V
Dissipazione di potenza massima = 20 mW
Tipo di package = Modulo
Tipo di canale = N
Numero pin = 20
Configurazione transistor = Confezione da sei
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
200 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
20 mW
Numero di transistor:
6
Tipo di package:
Modulo
Tipo di canale:
N
Numero pin:
20
Configurazione transistor:
Confezione da sei
Altri termini di ricerca: 2184363, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FS200R12PT4PBOSA1
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