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MOSFET Infineon, canale N, 0,045 Ω, 0,065 Ω, 23 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183128
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRLR2703TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 23 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,045 Ω, 0,065 Ω
Tensione di soglia gate massima = 1V
Materiale del transistor = Si
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
23 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,045 Ω, 0,065 Ω
Tensione di soglia gate massima:
1V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2183128, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRLR2703TRPBF
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