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MOSFET Infineon, canale N, 0,032 Ω, 51 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-2183120
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFS52N15DTRLP
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2183120
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 51 A
Tensione massima drain source = 150 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,032 Ω
Tensione di soglia gate massima = 5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
51 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,032 Ω
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Infineon, IRFS52N15DTRLP
Riepilogo condizioni1
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