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MOSFET Infineon, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183117
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFS3307ZTRRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 128 A
Tensione massima drain source = 75 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,0058 Ω
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
128 A
Tensione massima drain source:
75 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0058 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2183117, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFS3307ZTRRPBF
Riepilogo condizioni1
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