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MOSFET Infineon, canale N, 31 Ω, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183106
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFR3410TRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 31 A
Tensione massima drain source = 100 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 31 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
31 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
31 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2183106, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFR3410TRLPBF
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