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MOSFET Infineon, canale N, 0.95 Ω, 324 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183104
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFH8201TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2183104
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 324 A
Tensione massima drain source = 25 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0.95 Ω
Tensione di soglia gate massima = 2.35V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
324 A
Tensione massima drain source:
25 V
Tipo di package:
SuperSO8 5 x 6
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0.95 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2.35V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Infineon, IRFH8201TRPBF
Riepilogo condizioni1
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