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MOSFET Infineon, canale N, 0,056 Ω, 28 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183102
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF6775MTRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 28 A
Tensione massima drain source = 150 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Resistenza massima drain source = 0,056 Ω
Tensione di soglia gate massima = 5V
Materiale del transistor = Si
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
28 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
DirectFET isometrico
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Resistenza massima drain source:
0,056 Ω
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2183102, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF6775MTRPBF
Riepilogo condizioni1
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