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MOSFET Infineon, canale N, 1.2 Ω, 4,5 A, TO-220, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183073
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPP80R1K2P7XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2183073
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 4,5 A
Tensione massima drain source = 800 V
Serie = 800V CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 1.2 Ω
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Materiale del transistor = Si
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4,5 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
800V CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1.2 Ω
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Infineon, IPP80R1K2P7XKSA1
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