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MOSFET Infineon, canale N, 0,0052 Ω, 86 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183053
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPD90N04S405ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET per uso automobilistico a canale N serie Infineon OptiMOS™-T2 integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Ha basse perdite di potenza di conduzione e commutazione.Canale N - modalità potenziata MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C Temperatura desercizio: 175 °C
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
86 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
OptiMOS™ -T2
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0052 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2183053, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPD90N04S405ATMA1
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