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MOSFET Infineon, canale N, 0.6 Ω, 6 A, TO-220 FP, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183019
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPAW60R600P7SXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2183019
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 6 A
Tensione massima drain source = 600 V
Serie = 600V CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0.6 Ω
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-220 FP
Serie:
600V CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0.6 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Infineon, IPAW60R600P7SXKSA1
Riepilogo condizioni1
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