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MOSFET Infineon, canale N, 0.8 Ω, 7,6 A, TO-220 FP, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2182992
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPA50R800CEXKSA2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2182992
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 7,6 A
Tensione massima drain source = 550 V
Serie = 500V CoolMOS™ CE
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0.8 Ω
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7,6 A
Tensione massima drain source:
550 V
Tipo di package:
TO-220 FP
Serie:
500V CoolMOS™ CE
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0.8 Ω
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Infineon, IPA50R800CEXKSA2
Riepilogo condizioni1
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