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Transistori
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Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0099 Ω, 46 A, TSDSON-8 FL, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2182986
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
BSZ099N06LS5ATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N serie Infineon OptiMOS™. È particolarmente adatto per la ricarica wireless, ladattatore e le applicazioni di telecomunicazione. La bassa carica di gate (Q g) dei dispositivi riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione.Testato con effetto valanga al 100% Eccellente resistenza termica Placcatura senza piombo
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
46 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
TSDSON-8 FL
Serie:
OptiMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0099 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2.3V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2182986
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
BSZ099N06LS5ATMA1
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