MOSFET Infineon, canale N, 10 MO, 89 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 55V in contenitore D2-Pak.Struttura di celle planari per SOA estesa Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto

Altre informazioni:

Tipo di canale:	N
Corrente massima continuativa di drain:	89 A
Tensione massima drain source:	55 V
Tipo di package:	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:	Montaggio superficiale
Numero pin:	3
Resistenza massima drain source:	10 MO
Tensione di soglia gate massima:	2V
Numero di elementi per chip:	1