MOSFET Infineon, canale N, 600 MO, 5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 200V in contenitore D-Pak.Struttura di celle planari per SOA estesa Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto

Altre informazioni:

Tipo di canale:	N
Corrente massima continuativa di drain:	5 A
Tensione massima drain source:	200 V
Tipo di package:	DPAK (TO-252)
Serie:	HEXFET
Tipo di montaggio:	Montaggio superficiale
Numero pin:	3
Resistenza massima drain source:	600 MO
Tensione di soglia gate massima:	4V
Numero di elementi per chip:	1