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MOSFET Infineon, canale N, 7.2 MO, 82 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2172613
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFH8325TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 30V in contenitore PQFN 5mm X 6mm.Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC Livello logico : ottimizzato per una tensione di pilotaggio gate di 5 V. Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
82 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PQFN 5 x 6
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
7.2 MO
Tensione di soglia gate massima:
2.35V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2172613, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFH8325TRPBF
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