MOSFET Infineon, canale N, 3.3 MO, 210 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura desercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali delleffetto valanga. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per luso in unampia varietà di applicazioni.Avanzata tecnologia di processo Resistenza ultra bassa in stato attivo Temperatura desercizio: 175 °C Commutazione rapida Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax Senza piombo