Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 3369E-2169689 N. Art. Produtt.: TSM130NB06LCR EAN/GTIN: n.d. |
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| Corrente massima continuativa di drain = 51 A Tensione massima drain source = 60 V Serie = TSM025 Numero pin = 8 Resistenza massima drain source = 13 m.Ω Modalità del canale = Enhancement Tensione di soglia gate massima = 2.5V Materiale del transistor = Silicone Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa di drain: | 51 A | Tensione massima drain source: | 60 V | Tipo di package: | PDFN56 | Serie: | TSM025 | Numero pin: | 8 | Resistenza massima drain source: | 13 m.Ω | Modalità del canale: | Enhancement | Tensione di soglia gate massima: | 2.5V | Materiale del transistor: | Silicone |
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| Altri termini di ricerca: 2169689, Semiconduttori, Discreti, Taiwan Semiconductor, TSM130NB06LCR |
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