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MOSFET Taiwan Semiconductor, 8.9 mΩ, 67 A, PDFN56


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N. Articolo:
     3369E-2169679
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM089N08LCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2169679
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Corrente massima continuativa di drain = 67 A
Tensione massima drain source = 80 V
Serie = TSM025
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 8.9 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Materiale del transistor = Silicone
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa di drain:
67 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
PDFN56
Serie:
TSM025
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
8.9 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: Taiwan Semiconductor, TSM089N08LCR
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