Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2169668 N. Art. Produtt.:
TSM070NB04CR EAN/GTIN:
n.d. |
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| I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effetto campo”; vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa di drain: | 75 A | Tensione massima drain source: | 40 V | Tipo di package: | PDFN56 | Serie: | TSM025 | Numero pin: | 8 | Resistenza massima drain source: | 7 m.Ω | Modalità del canale: | Enhancement | Tensione di soglia gate massima: | 4V | Materiale del transistor: | Silicone |
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| Altri termini di ricerca: 2169668, Semiconduttori, Discreti, MOSFET, Taiwan Semiconductor, TSM070NB04CR |
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