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MOSFET Infineon, canale N, 0.2 Ω, 3,5 A, SO-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2152595
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF9956TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2152595
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 3,5 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0.2 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 1V
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
3,5 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SO-8
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0.2 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Infineon, IRF9956TRPBF
Riepilogo condizioni1
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