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MOSFET Infineon, canale N, 0,0134 Ω, 10 A, SO-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2152589
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF8910TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 10 A
Tensione massima drain source = 20 V
Tipo di package = SO-8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,0134 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.55V
Materiale del transistor = Si
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
10 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SO-8
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0134 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.55V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2152589, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF8910TRPBF
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