Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2152586 N. Art. Produtt.:
IRF7831TRPBF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 21 A
Tensione massima drain source = 30 V
Tipo di package = SO-8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,0036 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.35V
Numero di elementi per chip = 1 Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 21 A | Tensione massima drain source: | 30 V | Tipo di package: | SO-8 | Serie: | HEXFET | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 8 | Resistenza massima drain source: | 0,0036 Ω | Modalità del canale: | Enhancement | Tensione di soglia gate massima: | 2.35V | Numero di elementi per chip: | 1 | Materiale del transistor: | Si |
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