MOSFET Infineon, canale N, 0,029 Ω, 6,6 A, SO-8, Montaggio superficiale

La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per larea del silicio. Questi vantaggi, combinati con lelevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per luso in unampia varietà di applicazioni. IL MODELLO SO-8 è stato modificato attraverso un telaio conduttore personalizzato per migliori caratteristiche termiche e capacità multi-die, il che lo rende ideale in una varietà di applicazioni di potenza. Con questo miglioramento, è possibile utilizzare più dispositivi in unapplicazione con uno spazio sulla scheda notevolmente ridotto. Il contenitore è progettato per la fase vapore, a infrarossi per tecniche di saldatura a onda.Tecnologia di generazione V. Resistenza ultra bassa in stato attivo Per montaggio superficiale Classificazione completa a valanga MOSFET a canale doppio N.