MOSFET Infineon, canale N, 0,0051 Ω, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

La serie OptiMOS™3 di MOSFET di potenza Infineon ha una tensione di sorgente di drain massima di 30V con contenitore di tipo SuperSO8 5x6. La carica di gate e uscita ultra bassa, insieme alla resistenza in stato attivo più bassa in contenitori a ingombro ridotto, rendono OptiMOS™ 25V la scelta migliore per i requisiti più esigenti di soluzioni di regolatori di tensione in server, applicazioni di trasmissione dati e telecomunicazioni. I prodotti OptiMOS™ 30V sono personalizzati in base alle esigenze di gestione dellalimentazione nei notebook grazie a un migliore comportamento EMI e a una maggiore durata della batteria. Disponibile in configurazione half-bridge (stadio di potenza 5x6).MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione Canale N. Livello logico Prodotto con uneccellente carica di gate R DS(on) (FOM) Resistenza R DS(on) molto bassa Eccellente resistenza termica