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MOSFET Infineon, canale N, 0,036 Ω, 21 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2152448
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     AUIRF7640S2TR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
La serie MOSFET di potenza DirectFET® per uso automobilistico Infineon è dotata di tensione di sorgente di drain massima 60V con corrente di drain continua massima di 20A in un contenitore DirectFET Small CAN. Il modello AUIRF7640S2TR/TR1 combina la più recente tecnologia in silicio MOSFET di potenza HEXFET® per uso automobilistico con lAdvanced DirectFET® per produrre una parte migliore della categoria per applicazioni di amplificatori audio di classe D per uso automobilistico. Il contenitore DirectFET® è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate nelle applicazioni di potenza, nelle apparecchiature di assemblaggio di circuiti stampati e nelle tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, quando si applica la nota applicativa AN-1035 relativa ai metodi e ai processi di produzione. Il pacchetto DirectFET® consente il raffreddamento su due lati per ottimizzare il trasferimento termico nei sistemi di alimentazione per uso automobilistico.Avanzata tecnologia di processo Ottimizzato per amplificatore audio classe D e commutazione ad alta velocità Applicazioni Bassa resistenza RDS(ON) per una maggiore efficienza Capacità a effetto valanga ripetitivo per robustezza e affidabilità Senza piombo, RoHS e senza alogeni
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
21 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DirectFET isometrico
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
0,036 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2152448, Semiconduttori, Discreti, Infineon, AUIRF7640S2TR
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