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Transistori
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MOSFET di potenza
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0055 O, 42 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2149128
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRFR4104TRLPBF
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 42 A
Tensione massima drain source = 40 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,0055 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
42 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0055 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2149128
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IRFR4104TRLPBF
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