MOSFET Infineon, canale N, 0,056 O, 18 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

La Infineon combina la più recente tecnologia al silicio MOSFET di potenza HEXFET per uso automobilistico con la piattaforma Advanced Packaging per produrre un componente migliore della categoria per applicazioni di amplificatori audio di classe D per uso automobilistico. Il contenitore è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio su circuito stampato e tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, ecc. il contenitore consente il raffreddamento a due lati per ottimizzare il trasferimento termico nei sistemi di alimentazione per uso automobilistico. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo MOSFET un componente altamente desiderabile in sistemi di amplificazione audio di classe D per uso automobilistico.Avanzata tecnologia di processo Temperatura desercizio: 175 °C