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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 100 A, canale N, TO-247


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2148786
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     AFGY100T65SPD
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 100 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Numero di transistor = 1
Tipo di package = TO-247
Tipo di canale = N
Numero pin = 3
Configurazione transistor = Singolo
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
100 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
660 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-247
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Altri termini di ricerca: 2148786, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, AFGY100T65SPD
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