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MOSFET Infineon, canale N, 0,018 Ω, 56 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2144456
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFR3710ZTRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura desercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale delleffetto valanga ripetitivo.Il suo design è estremamente efficiente e affidabile
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
56 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,018 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 2144456, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFR3710ZTRLPBF
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