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MOSFET Infineon, canale N, 0,0065 Ω, 110 A, I2PAK (TO-262), Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2144448
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF3205ZLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 110 A
Tensione massima drain source = 55 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,0065 Ω
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
110 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
I2PAK (TO-262)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0065 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2144448, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF3205ZLPBF
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