Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N

Il modulo IGBT rapido 4 contenitore Semikron Semitrans 2 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere una scelta preferita per applicazioni come veicoli ibridi o elettrici, saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 20 kHz, convertitore c.c./c.c., chopper di frenata e motore a riluttanza commutata. Il chipset fornisce una piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (rame legato diretto) e un diodo CAL di 4 generazione a commutazione morbida integrato nel modulo.Resistenza gate integrata Maggiore capacità di ciclo di potenza e commutazione graduale Temperatura desercizio = da -40 a 150ºC