Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 3369E-2052421 N. Art. Produtt.: NCV57200DR2G EAN/GTIN: n.d. |
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| Gate driver ad alta tensione ON Semiconductor con un gate driver low side non isolato e un gate driver high o low side con isolamento galvanico. È in grado di pilotare direttamente due IGBT in una configurazione half-bridge. Un driver high side isolato può essere alimentato con un alimentatore isolato o con la tecnica Bootstrap dallalimentatore low side. Questo isolamento galvanico per il driver gate high side garantisce una commutazione affidabile in applicazioni ad alta potenza per IGBT che funzionano fino a 800 V, ad alta dv/dt.Il contenitore è SOIC-8 (senza piombo) Uscita di corrente di Peak elevata (+1,9 a/-2,3 a) Bassa caduta di tensione di uscita per una conduzione IGBT potenziata Uscita sicura in stato basso senza VDD/VB Canale flottante per il funzionamento Bootstrap fino a +800V CMTI fino a 50kV/s. Funzionamento affidabile per unoscillazione negativa VS a -800V Gamma di alimentazione VDD e VBS fino a 20V Altre informazioni: | | Corrente di uscita: | 1,9 A | Tensione di alimentazione: | 20V | Numero pin: | 8 | Tipo di package: | SOIC-8 |
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