Diodo STMicroelectronics, Montaggio superficiale, 10A, 650V, PowerFLAT

Il diodo SiC STMicroelectronics è un diodo di potenza Schottky a prestazioni ultra-elevate, realizzato utilizzando un substrato di carburo di silicio. È dotato di unampia gamma di materiale band gap che consente la progettazione di una struttura diodo Schottky con un valore nominale di 650 V. Non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura, grazie alla struttura schottky.Contenitore con altezza inferiore a 1 mm Pacchetto ad alta velocità di scorrimento Nessun recupero inverso o trascurabile Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura Elevata capacità di picco diretto Tensione diretta a caduta molto bassa Prodotto ad alta efficienza energetica Componente conforme a ECOPACK2