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Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,16 Ω, 17,3 A, TO-247-4, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2025743
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVH4L160N120SC1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17,3 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.Certificazione AEC Q101 Testato con effetto valanga al 100% Capacità di uscita effettiva bassa Conformità RoHS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
17,3 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
TO-247-4
Serie:
NVH
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
0,16 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.3V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
SiC
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 2025743, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVH4L160N120SC1
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