Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,056 Ω, 60 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 60 A
Tensione massima drain source = 1200 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 7
Resistenza massima drain source = 0,056 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.3V
Materiale del transistor = SiC