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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,056 Ω, 60 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2025730
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NVBG040N120SC1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 60 A
Tensione massima drain source = 1200 V
Serie = NVB
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 7
Resistenza massima drain source = 0,056 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.3V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
60 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
NVB
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
7
Resistenza massima drain source:
0,056 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.3V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
SiC
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
2025730
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NVBG040N120SC1
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