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MOSFET Vishay, canale N, 0,00088 Ω, 0,00116 Ω, 100 A, PowerPak SO-8DC, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2006840
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIDR638DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2006840
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 100 A
Tensione massima drain source = 40 V
Serie = TrenchFET® Gen IV
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,00088 Ω, 0,00116 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.3V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
PowerPak SO-8DC
Serie:
TrenchFET® Gen IV
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,00088 Ω, 0,00116 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.3V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Vishay, SIDR638DPT1RE3
Riepilogo condizioni1
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