Diodo onsemi, Montaggio superficiale, 8A, 650V, D2PAK, Diodo Schottky

I diodi al carburo di silicio (SiC) Schottky utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza desercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.Max. temperatura di giunzione 175 °C Capacità per alta corrente di picco Coefficiente di temperatura positivo Facilità di collegamento in parallelo Nessun recupero inverso/nessun recupero diretto Capacità PPAP Applications Caricabatterie a bordo HEV-EV per il settore automobistico Convertitori c.c.-c.c. per il settore automobilistico